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LOW MICROPIPE 100 MM SILICON CARBIDE WAFER

机译:低微管100毫米碳化硅晶片

摘要

A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 100 mm and a micropipe density of less than about 25 cm−2.
机译:公开了一种高质量的SiC单晶晶片,其具有至少约100mm的直径和小于约25cm -2 的微管密度。

著录项

  • 公开/公告号US2014291698A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CREE INC.;

    申请/专利号US201314087215

  • 申请日2013-11-22

  • 分类号H01L29/16;H01L29/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:08:17

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