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Method of manufacturing photodiode with waveguide structure and photodiode

机译:具有波导结构的光电二极管的制造方法和光电二极管

摘要

A process to form a photodiode (PD) with the waveguide structure is disclosed. The PD processes thereby reduces a scattering of the parasitic resistance thereof. The process includes steps to form a PD mesa stripe, to bury the PD mesa stripe by the waveguide region, to etch the PD mesa stripe and the waveguide region to form the waveguide mesa stripe. In the etching, the lower contact layer plays a role of the etching stopper.
机译:公开了一种形成具有波导结构的光电二极管(PD)的工艺。 PD工艺从而减少了其寄生电阻的散射。该工艺包括形成PD台面条纹,将PD台面条纹掩埋在波导区域中,蚀刻PD台面条纹和波导区域以形成波导台面条纹的步骤。在蚀刻中,下接触层起蚀刻停止层的作用。

著录项

  • 公开/公告号US8673664B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HIDEKI YAGI;

    申请/专利号US201213534057

  • 发明设计人 HIDEKI YAGI;

    申请日2012-06-27

  • 分类号H01L21/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:02:47

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