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Defect analysis method, apparatus, and recording medium using pattern dependence degree

机译:使用图案依存度的缺陷分析方法,装置和记录介质

摘要

According to the embodiments, a plurality of positional relationships between a coordinate system for indicating a defect position on a wafer that is used by an inspection device and a coordinate system that is used in design data on a pattern is set, the defect position output by the inspection device and the design data are aligned by using each of the set positional relationships, and a local pattern of a portion in which the defect position is aligned is extracted from the design data for each positional relationship. Then, the extracted local pattern is classified based on a degree of matching of graphical feature. The number of classification patterns is calculated for each positional relationship. Then, a pattern dependence degree of the detected defect group is calculated by using the calculated number of classification patterns of each positional relationship.
机译:根据实施例,在用于指示检查装置使用的晶片上的缺陷位置的坐标系和用于图案的设计数据中的坐标系之间设置多个位置关系,缺陷位置由通过使用每个设置的位置关系来对准检查设备和设计数据,并且针对每个位置关系从设计数据中提取缺陷位置对准的部分的局部图案。然后,基于图形特征的匹配程度对提取的局部图案进行分类。针对每个位置关系计算分类模式的数量。然后,通过使用计算出的每个位置关系的分类图案的数量来计算检测到的缺陷组的图案依赖性程度。

著录项

  • 公开/公告号US8682058B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-03-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YASUYUKI YAMADA;

    申请/专利号US201113006037

  • 发明设计人 YASUYUKI YAMADA;

    申请日2011-01-13

  • 分类号G06K9/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:01:01

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