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Methods and apparatus for antimonide-based backward diode millimeter-wave detectors

机译:用于基于锑的反向二极管毫米波检测器的方法和设备

摘要

Example methods and apparatus for Antimonide-based backward diode millimeter-wave detectors are disclosed. A disclosed example backward diode includes a cathode layer adjacent to a first side of a non-uniform doping profile, and an Antimonide tunnel barrier layer adjacent to a second side of the spacer layer.
机译:公开了用于基于锑的反向二极管毫米波检测器的示例方法和设备。所公开的示例性后向二极管包括与非均匀掺杂分布的第一侧相邻的阴极层和与间隔层的第二侧相邻的锑化物隧道势垒层。

著录项

  • 公开/公告号US8592859B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NING SU;PATRICK FAY;

    申请/专利号US20090993974

  • 发明设计人 NING SU;PATRICK FAY;

    申请日2009-05-27

  • 分类号H01L29/88;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:59:53

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