机译:光伏元件,其中包含布置在半导体结构中的谐振器,因为半导体结构是由电磁阻尼区域形成的,而上平面不是入射平面,至少谐振器电极位于2D-和3D Cute中减震。
公开/公告号CL2013002118A1
专利类型
公开/公告日2014-10-03
原文格式PDF
申请/专利权人 VYSOKE UCENI TECHICKE V BRNE;
申请/专利号CL20130002118
发明设计人 PAVEL FIALA;
申请日2013-07-24
分类号H01Q1/24;H02S40/30;
国家 CL
入库时间 2022-08-21 15:58:26