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NIOBIUM OXIDE SPUTTERING TARGET, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND NIOBIUM OXIDE FILM

机译:氧化铌溅射靶材,其制备方法和氧化铌膜

摘要

The present invention provides a niobium oxide sputtering target that enables direct current (DC) sputtering, and a production method. This niobium oxide sputtering target is characterized by being a niobium oxide sintered body and in that the specific resistance thereof is 0.001-0.05 Ω⋅cm over the entire area of the sintered body in the thickness direction.
机译:本发明提供了能够进行直流(DC)溅射的氧化铌溅射靶及其制造方法。该氧化铌溅射靶的特征在于是氧化铌烧结体,并且在烧结体的整个厚度方向上的比电阻为0.001-0.05Ω·cm。

著录项

  • 公开/公告号WO2014132872A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION;

    申请/专利号WO2014JP54004

  • 发明设计人 UMEMOTO KEITA;ZHANG SHOUBIN;

    申请日2014-02-20

  • 分类号C23C14/34;C04B35;C23C14/08;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 15:47:40

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