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THE SINGLE CRYSTAL OF ZIRCONIA FREE FROM LOW TEMPERATURE DEGRADATION AND GROWING METHOD THEREOF

机译:低温降解无氧化锆的单晶及其生长方法

摘要

The present invention relates to a zirconia single crystal, and a growing method thereof for enabling a precise mechanic process with excellent physical properties without low temperature degradation. The growing method comprises the steps of: raw material preparation, raw material charging, raw material melting; melted solution stabilization, seed generation, and single crystal growing.
机译:氧化锆单晶及其生长方法技术领域本发明涉及一种氧化锆单晶及其生长方法,该氧化锆单晶及其生长方法能够实现具有优异物理性能而不会低温降解的精确机械加工。该生长方法包括以下步骤:原料制备,原料装料,原料熔融;以及熔融溶液稳定化,种子生成和单晶生长。

著录项

  • 公开/公告号KR101335761B1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-12-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LEE JAE GUN;

    申请/专利号KR20130036486

  • 发明设计人 LEE JAE GUN;

    申请日2013-04-03

  • 分类号C30B7/08;C30B29;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:44:12

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