首页> 外国专利> MONOCRYSTALLINE ZIRCONIA WITHOUT LOW-TEMPERATURE DEGRADATION PROPERTIES AND METHOD FOR GROWING SAME

MONOCRYSTALLINE ZIRCONIA WITHOUT LOW-TEMPERATURE DEGRADATION PROPERTIES AND METHOD FOR GROWING SAME

机译:无低温降解特性的单晶锆石及其生长方法

摘要

Disclosed is a method of growing a zirconia single crystal that has excellent physical properties free from low-temperature degradation and thus enables precise machining, the method including raw material preparation, raw material charging, raw material melting, melt soaking stage, seed production, and single crystal growth.
机译:公开了一种生长具有优异的物理性质,没有低温降解并因此能够进行精确加工的氧化锆单晶的方法,该方法包括原料制备,原料装料,原料熔融,熔体均热阶段,种子生产以及单晶生长。

著录项

  • 公开/公告号US2016010240A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JAE KUN LEE;

    申请/专利号US201314772012

  • 发明设计人 JAE KUN LEE;

    申请日2013-07-29

  • 分类号C30B29/16;C30B11/14;C30B11/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:37:28

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号