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Sintering method of semiconductor oxide by using intense pulsed light

机译:利用强脉冲光烧结半导体氧化物的方法

摘要

The present invention relates to a method of a semiconductor optical sintered oxide using extreme wave white light irradiation , 1) semiconductor oxide nanoparticles step of particle paste or a semiconductor oxide precursor coating on the substrate drying ; And 2 ) a step of sintering is irradiated with white light at room temperature extreme wave conditions and the semiconductor oxide nanoparticles or semiconductor oxide precursor coated substrate , thereby manufacturing an optical semiconductor oxide sintered at a low cost in a short period of time at room conditions can be , and semiconductor oxides prepared using extreme wave white light irradiation method may be useful in electronic devices such as solar cells or energy . ;
机译:本发明涉及一种使用极端波白光照射的半导体光学烧结氧化物的方法,1)将半导体浆料的半导体浆料或半导体氧化物前体涂层涂布在基板上的半导体氧化物纳米颗粒的干燥步骤;并且2)在室温极端波条件下用白光照射烧结步骤,并涂覆半导体氧化物纳米颗粒或涂覆有半导体氧化物前体的基板,从而以低成本在短时间内在室温下烧结光学半导体氧化物。用极端波白光辐照法制备的半导体氧化物可能在电子设备如太阳能电池或能源中有用。 ;

著录项

  • 公开/公告号KR101359663B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20110047386

  • 发明设计人 김학성;황현준;

    申请日2011-05-19

  • 分类号C04B35/64;H01L31/04;H01L31/0256;H01L31/0224;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:41:33

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