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METHOD OF AVOIDING ERRORS IN FLASH MEMORY

机译:避免闪存中错误的方法

摘要

N data bits 2 N in the order of the sorted cells in a state of Each one as N & 1 bit of the 2 N each time to indicate one of the different patterns to be stored in the memory cell to program their respective cell of said N data bits is the lowest state of the pattern is mapped to the (usually both 1) the N bits of the converted pattern, depending on the transformation that maps to a different pattern, wherein the cell is programmed to indicate that the conversion pattern. Both the conversion of the bit of each pattern, thereby reverse some or only one. Each time a cell of the memory is read, the conversion is inverted. ; cells, conditions, patterns, programming, memory, bits, conversion, mapping, circuit, controller, processor, the host, the threshold voltage, the inversion mechanism, the deleted state
机译:N个数据位2 N 以被排序的信元的顺序在每个状态为N每次2 N 中的1位表示要存储在存储单元中以编程它们各自的所述N个数据位的不同模式之一,该模式的最低状态被映射到(通常均为1)转换后的模式的N位,具体取决于映射到不同模式的转换,其中,对单元进行编程以指示该转换模式。每种模式的位都转换,从而反转一些或仅一个。每次读取存储器单元时,转换都会反转。 ;单元,条件,模式,编程,存储器,位,转换,映射,电路,控制器,处理器,主机,阈值电压,反转机制,删除状态

著录项

  • 公开/公告号KR101456474B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-10-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20097003137

  • 发明设计人 샤론 에란;

    申请日2007-07-26

  • 分类号G11C16/10;G11C16/34;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:39:50

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