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N- doping method of graphene , graphene , element and p-n junction diode

机译:石墨烯,石墨烯,元素和p-n结二极管的N掺杂方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号JP2014518827A5

    专利类型

  • 公开/公告日2015-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号JP2013556556

  • 发明设计人

    申请日0000-00-00

  • 分类号C01B31/02;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L21/205;H01L21/223;H01L21/228;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 15:35:39

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