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机译:石墨烯,石墨烯,元素和p-n结二极管的N掺杂方法
公开/公告号JP2014518827A5
专利类型
公开/公告日2015-03-12
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP2013556556
发明设计人
申请日0000-00-00
分类号C01B31/02;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L21/205;H01L21/223;H01L21/228;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 15:35:39
机译: p-n掺杂的石墨烯图案的制造方法以及包括该方法的p-n二极管的制造方法
机译: 掺杂的石墨烯图案的制造方法及制造包括该石墨烯的p-n二极管的制造方法
机译: N- / N-掺杂的氧化石墨烯/氧化石墨烯双层结构及其制备方法