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MONOLITHICALLY INTEGRATED TRANSISTORS FOR A BUCK CONVERTER USING SOURCE DOWN MOSFET

机译:使用源极降压MOSFET的降压转换器的单片集成晶体管

摘要

An integrated semiconductor transistor chip for use in a buck converter includes a high side transistor formed on the chip and comprising a laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor and a low side transistor formed on the chip and comprising a source down metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The chip also includes a substrate of the chip for use as a source for the low side transistor and an n-doped well for isolation of the high side transistor from the source of the low side transistor.
机译:用于降压转换器的集成半导体晶体管芯片包括形成在芯片上并包括横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高端晶体管和形成在芯片上并包括源极向下的金属氧化物半导体场的低端晶体管。效果晶体管(MOSFET)。该芯片还包括用作低侧晶体管的源极的芯片的基板和用于将高侧晶体管与低侧晶体管的源极隔离的n掺杂阱。

著录项

  • 公开/公告号US2015214222A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED;

    申请/专利号US201514608391

  • 发明设计人 JUN WANG;FRANK BAIOCCHI;HAIAN LIN;

    申请日2015-01-29

  • 分类号H01L27/088;H01L29/78;H02M3/155;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:23:32

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