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ENHANCED HYDROGEN BARRIER ENCAPSULATION METHOD FOR THE CONTROL OF HYDROGEN INDUCED DEGRADATION OF FERROELECTRIC CAPACITORS IN AN F-RAM PROCESS

机译:F-RAM工艺中氢诱导铁电电容器降解的增强氢障包封方法

摘要

An encapsulated ferroelectric capacitor or ferroelectric memory cell includes encapsulation materials adjacent to a ferroelectric capacitor, a ferroelectric oxide (FEO) layer over the encapsulated ferroelectric capacitor, and an FEO encapsulation layer over the ferroelectric oxide to provide protection from hydrogen induced degradation.
机译:封装的铁电电容器或铁电存储单元包括:与铁电电容器相邻的封装材料;位于封装的铁电电容器上方的铁电氧化物(FEO)层;以及位于铁电氧化物上方的FEO封装层,以防止氢引起的降解。

著录项

  • 公开/公告号US2015115408A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION;

    申请/专利号US201414514008

  • 发明设计人 SHAN SUN;TOM E. DAVENPORT;

    申请日2014-10-14

  • 分类号H01L49/02;H01L27/115;H01L23/29;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:23:30

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