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C12A7 ELECTRIDE THIN FILM FABRICATION METHOD AND C12A7 ELECTRIDE THIN FILM

机译：C12A7电极薄膜的制造方法及C12A7电极薄膜的制造

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A C12A7 electride thin film fabrication method includes a step of forming an amorphous C12A7 electride thin film on a substrate by vapor deposition under an atmosphere with an oxygen partial pressure of less than 0.1 Pa using a target made of a crystalline C12A7 electride having an electron density within a range of 2.0×10¹⁸cm⁻³to 2.3×10²¹cm⁻³.

机译：C12A7电子化合物薄膜的制造方法包括以下步骤：在氧分压小于0.1 Pa的气氛下，使用具有电子密度的结晶C12A7电子化合物制成的靶，通过气相沉积在基板上形成非晶C12A7电子化合物薄膜。范围为2.0×10 ^{18 cm ^{−3 到2.3×10 ^{21 cm ⁻³}}}

著录项

公开/公告号US2015093583A1

专利类型
公开/公告日2015-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY;ASAHI GLASS COMPANY LIMITED;
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申请/专利号US201414567047
发明设计人 YOSHITAKE TODA;SATORU WATANABE;TOSHINARI WATANABE;NAOMICHI MIYAKAWA;HIDEO HOSONO;KATSURO HAYASHI;SETSURO ITO;KAZUHIRO ITO;
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申请日2014-12-11
分类号H01B1/08;C23C14/08;C23C14/35;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:22:21

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