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HIGH DIELECTRIC CONSTANT TRANSITION METAL OXIDE MATERIALS

机译:高介电常数过渡金属氧化物材料

摘要

A transition metal oxide dielectric material is doped with a non-metal in order to enhance the electrical properties of the metal oxide. In a preferred embodiment, a transition metal oxide is deposited over a bottom electrode and implanted with a dopant. In a preferred embodiment, the metal oxide is hafnium oxide or zirconium oxide and the dopant is nitrogen. The dopant can convert the crystal structure of the hafnium oxide or zirconium oxide to a tetragonal structure and increase the dielectric constant of the metal oxide.
机译:为了增强金属氧化物的电性能,过渡金属氧化物电介质材料掺杂有非金属。在一个优选的实施方案中,过渡金属氧化物沉积在底部电极上并注入掺杂剂。在一个优选的实施方案中,金属氧化物是氧化ha或氧化锆,并且掺杂剂是氮。掺杂剂可以将氧化ha或氧化锆的晶体结构转换为四方结构,并增加金属氧化物的介电常数。

著录项

  • 公开/公告号US2015001673A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201414324945

  • 发明设计人 JIUTAO LI;SHUANG MENG;

    申请日2014-07-07

  • 分类号C04B35/48;H01L49/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:21:20

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