首页> 外国专利> Monolithic InGaN solar cell power generation with integrated efficient switching DC-DC voltage convertor

Monolithic InGaN solar cell power generation with integrated efficient switching DC-DC voltage convertor

机译:集成高效开关DC-DC电压转换器的单片InGaN太阳能电池发电

摘要

A single monolithic integrated circuit (10) containing a solar cell (or cells) with a DC-DC converter includes: a substrate (120, 220); the solar cell (101) or a solar cell array (100, 100′) on the substrate for generating an output voltage; and the DC-DC converter (102) integrated on the substrate for receiving the output voltage to generate a converted voltage, which may be higher or lower than the solar generated voltage. The substrate may be a silicon 111, silicon carbide, or sapphire substrate. A GaN RF power amplifier and a CMOS controller including PWM modulator may also be monolithically integrated with an InGaN solar cell array and a GaN DC-DC converter. GaN switches (113, 115, 117, 119) may be used to couple InGaN solar cells (101) in series or parallel within the solar cell array (100, 100′) to yield improved or optimal voltage and current levels as required by the load.
机译:包含具有DC-DC转换器的一个或多个太阳能电池的单片集成电路( 10 )包括:基板( 120,220 );基板上的太阳能电池( 101 )或太阳能电池阵列( 100,100 '),用于产生输出电压;集成在基板上的DC-DC转换器( 102 )用于接收输出电压以生成转换电压,该转换电压可以高于或低于太阳能产生的电压。衬底可以是硅<111>,碳化硅或蓝宝石衬底。 GaN RF功率放大器和包括PWM调制器的CMOS控制器也可以与InGaN太阳能电池阵列和GaN DC-DC转换器单片集成。 GaN开关( 113、115、117、119 )可用于在太阳能电池阵列( 100)中串联或并联耦合InGaN太阳能电池( 101 ) ,100 ')以产生负载所需的改进或最佳的电压和电流水平。

著录项

  • 公开/公告号US9147701B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JEFFREY H. SAUNDERS;

    申请/专利号US201113240991

  • 发明设计人 JEFFREY H. SAUNDERS;

    申请日2011-09-22

  • 分类号H01L31/042;H01L27/142;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:19:30

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号