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Equivalent circuit of semiconductor device, simulation method for semiconductor device, and simulation device for semiconductor device

机译:半导体装置的等效电路,半导体装置的仿真方法以及半导体装置的仿真装置

摘要

An equivalent circuit includes: a first transistor having a first gate electrode, a first source electrode, and a first drain electrode; a second transistor having a second gate electrode, a second drain electrode, and a second source electrode electrically connected to the first drain electrode; and a charging and discharging circuit which includes a first capacitor having a terminal electrically connected to the second gate electrode and another terminal electrically connected to the second source electrode, and charges and discharges the first capacitor with predetermined time constants.
机译:等效电路包括:第一晶体管,其具有第一栅极,第一源极和第一漏极;以及第二晶体管。第二晶体管,其具有第二栅电极,第二漏电极和电连接到第一漏电极的第二源极;充放电电路,其包括第一电容器,该第一电容器的一端电连接至第二栅电极,另一端子电连接至第二源电极,并以预定的时间常数对第一电容器进行充电和放电。

著录项

  • 公开/公告号US8893072B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PANASONIC CORPORATION;

    申请/专利号US201313870565

  • 发明设计人 DAISUKE UEDA;HIROAKI UENO;

    申请日2013-04-25

  • 分类号G06F17/50;H01L29/778;H03K17/56;H01L29/10;H01L29/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:18:13

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