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Data writing method for writing updated data into rewritable non-volatile memory module, and memory controller, and memory storage apparatus using the same

机译:用于将更新的数据写入可重写非易失性存储模块中的数据写入方法,存储控制器以及使用该方法的存储装置

摘要

A method for writing updated data into a flash memory module having a plurality of physical pages is provided, wherein each physical page is the smallest writing unit of the flash memory module. The method includes partitioning a physical page into storage segments and configuring a state mark for each storage segment, wherein the state marks indicate the validity of data stored in the storage segments. The method also includes writing the updated data into at least one of the storage segments and changing the state mark corresponding to the storage segment containing the updated data, wherein the state mark corresponding to the storage segment containing the updated data indicates a valid state, and the state marks corresponding to the other storage segments of the physical page not containing the updated data indicate an invalid state. Thereby, the time for writing data into a physical page is effectively shortened.
机译:提供了一种用于将更新的数据写入具有多个物理页面的闪存模块的方法,其中,每个物理页面是闪存模块的最小写入单元。该方法包括将物理页面划分成存储段并为每个存储段配置状态标记,其中状态标记指示存储在存储段中的数据的有效性。该方法还包括:将更新后的数据写入至少一个存储段中,并改变与包含更新后的数据的存储段相对应的状态标记,其中,与包含更新后的数据的存储段相对应的状态标记指示有效状态;以及与不包含更新数据的物理页的其他存储段相对应的状态标记表示无效状态。从而,有效地缩短了将数据写入物理页面的时间。

著录项

  • 公开/公告号US9021218B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PHISON ELECTRONICS CORP.;

    申请/专利号US201414151841

  • 发明设计人 CHIH-KANG YEH;

    申请日2014-01-10

  • 分类号G06F13/00;G06F12/02;G06F12/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:17:41

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