机译:在基本垂直部分的一端的相邻存储单元之间的距离大于在基本垂直部分的相对端的相邻存储单元之间的距离及其形成的存储阵列
公开/公告号US8951865B2
专利类型
公开/公告日2015-02-10
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US201313746578
发明设计人 AKIRA GODA;
申请日2013-01-22
分类号H01L21/336;H01L29/66;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:16:46