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bismuth antimony telluride nano-bulk composites with high figures of merit (zt)

机译:高品质的铋锑碲化物纳米体复合材料(zt)

摘要

According to various aspects, exemplary embodiments are disclosed of Bismuth Antimony Telluride (BiSbTe) based nano-bulk composites having high dimensionless figures of merit (ZT) and with nanostructured BiSbTe as the matrix (host) and bulk BiSbTe as the inclusion (guest). In an exemplary embodiment of a thermoelectric nano-bulk composite material, there is a matrix including nanostructured bismuth antimony telluride. The thermoelectric nano-bulk composite material also includes bulk bismuth antimony telluride in the matrix. A weight percentage ratio of the nanostructured bismuth antimony telluride to the bulk bismuth antimony telluride is at least one to one or higher.
机译:根据各个方面,公开了具有高无量纲的品质因数(ZT)且纳米结构的BiSbTe作为基质(主体)并且块状BiSbTe作为内含物(客体)的基于铋锑碲化物(BiSbTe)的纳米本体复合物的示例性实施方案。在热电纳米本体复合材料的示例性实施方式中,存在包括纳米结构的碲化铋锑的基质。该热电纳米本体复合材料在基体中还包括块状碲化铋锑。纳米结构的碲化铋锑与块状碲化铋的重量百分比至少为一或更高。

著录项

  • 公开/公告号IN2013CH01002A

    专利类型

  • 公开/公告日2015-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN1002/CHE/2013

  • 申请日2013-03-08

  • 分类号H01L35/00;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 15:15:05

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