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Magnetic stimulus of ISFET-based sensor to enable trimming and self-compensation of sensor measurement errors

机译:基于ISFET的传感器的磁激励可实现传感器测量误差的微调和自补偿

摘要

An ion sensor apparatus comprises at least one ion sensitive field effect transistor (ISFET) device configured to be exposed to a liquid, a reference electrode configured to contact the liquid to which the ISFET device is exposed, and at least one magnet configured to intermittently expose the ISFET device to a magnetic field. A processor is operatively connected to the ISFET device and the reference electrode. The processor modulates the magnetic field to produce a corresponding modulated output in resistance of the ISFET device, and modulation of a reported output value of the ion sensor apparatus.
机译:一种离子传感器设备,包括至少一个配置为暴露于液体的离子敏感场效应晶体管(ISFET)器件,配置为与暴露了该ISFET器件的液体接触的参考电极,以及配置为间歇性暴露的至少一个磁体ISFET装置会产生磁场。处理器可操作地连接到ISFET器件和参考电极。处理器对磁场进行调制,以在ISFET器件的电阻中产生相应的调制输出,并对离子传感器设备的报告输出值进行调制。

著录项

  • 公开/公告号EP2924424A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INTERNATIONAL INC.;

    申请/专利号EP20150158717

  • 发明设计人 HORKHEIMER DONALD;

    申请日2015-03-11

  • 分类号G01N27/414;H01L29/82;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:01:52

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