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RF FRONT END WITH ASYMMETRIC RF SWITCH UNIT

机译:带不对称射频开关单元的射频前端

摘要

The present invention relates to an RF front end with an asymmetric RF switch unit connected to an antenna of a wireless communication device. The RF front end includes the asymmetric RF switch unit for actively controlling insertion loss on two separate frequency bands. The RF front end includes: an impedance matching element or elements in a first group; an impedance matching element or elements in a second group; a first RF switch unit having multiple MOSFETs wherein the impedance matching element or elements among the first group and the antenna connect electrically to the antenna; and a second RF switch unit having multiple MOSFETs wherein the impedance matching element or elements among the second group and the antenna connect electrically to the antenna, wherein the cell size of the first RF switch unit is defined by multiplying the gate length of the MOSFET by the gate width and is different from the cell size of the second RF switch unit. Accordingly, the present invention can control insertion loss for different two frequency bands.
机译:射频前端技术领域本发明涉及一种射频前端,该射频前端具有不对称的射频开关单元,该射频开关单元连接至无线通信设备的天线。 RF前端包括非对称RF开关单元,用于主动控制两个单独频带上的插入损耗。所述射频前端包括:第一组中的一个或多个阻抗匹配元件;第二组中的一个或多个阻抗匹配元件;具有多个MOSFET的第一RF开关单元,其中,第一组和天线之间的一个或多个阻抗匹配元件电连接到天线;第二RF开关单元具有多个MOSFET,其中第二组和天线之间的一个或多个阻抗匹配元件电连接到天线,其中第一RF开关单元的单元尺寸通过将MOSFET的栅极长度乘以栅极宽度不同于第二RF开关单元的单元尺寸。因此,本发明可以控制不同两个频带的插入损耗。

著录项

  • 公开/公告号KR101492765B1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20140015370

  • 申请日2014-02-11

  • 分类号H04B1/48;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 14:58:38

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