首页> 外国专利> ORIENTED BOTTOM-UP GROWTH OF ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBONS ON GERMANIUM

ORIENTED BOTTOM-UP GROWTH OF ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBONS ON GERMANIUM

机译:锗在石墨烯上的定向向上生长

摘要

Graphene nanoribbon arrays, methods of growing graphene nanoribbon arrays and electronic and photonic devices incorporating the graphene nanoribbon arrays are provided. The graphene nanoribbons in the arrays are formed using a scalable, bottom-up, chemical vapor deposition (CVD) technique in which the (001) facet of the germanium is used to orient the graphene nanoribbon crystals along the [110] directions of the germanium.
机译:提供了石墨烯纳米带阵列,生长石墨​​烯纳米带阵列的方法以及结合了石墨烯纳米带阵列的电子和光子器件。阵列中的石墨烯纳米带是使用可扩展的,自底向上的化学气相沉积(CVD)技术形成的,其中锗的(001)面用于沿锗的[110]方向定向石墨烯纳米带晶体。 。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号