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PBNZT FERROELECTRIC FILM, SOL-GEL SOLUTION, FILM FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING FERROELECTRIC FILM

机译:PBNZT铁电薄膜,溶胶-凝胶溶液,成膜方法及生产铁电薄膜的方法

摘要

To provide a PBNZT ferroelectric film capable of preventing sufficiently oxygen ion deficiency. The PBNZT ferroelectric film according to an embodiment of the present invention is a ferroelectric film including a perovskite-structured ferroelectric substance represented by ABO3, wherein the perovskite-structured ferroelectric substance is a PZT-based ferroelectric substance containing Pb2+ as A-site ions and containing Zr4+ and Ti4+ as B-site ions, and the A-site contains Bi3+ as A-site compensation ions and the B-site contains Nb5+ as B-site compensation ions.
机译:提供一种能够充分防止氧离子不足的PBNZT铁电膜。根据本发明实施方式的PBNZT铁电膜是包括由ABO 3 表示的钙钛矿结构的铁电物质的铁电膜,其中所述钙钛矿结构的铁电物质是含PZT的铁电物质。 Pb 2 + 作为A位离子,并包含Zr 4 + 和Ti 4 + 作为B位离子,并且A位包含Bi 3 + 作为A位补偿离子,而B位包含Nb 5 + 作为B位补偿离子。

著录项

  • 公开/公告号US2016329485A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YOUTEC CO. LTD.;

    申请/专利号US201615215879

  • 发明设计人 TAKESHI KIJIMA;YUUJI HONDA;

    申请日2016-07-21

  • 分类号H01L41/39;H01L41/187;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:36:18

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