首页> 外国专利> METHOD OF PROVIDING CHLORIDE TREATMENT FOR A PHOTOVOLTAIC DEVICE AND A CHLORIDE TREATED PHOTOVOLTAIC DEVICE

METHOD OF PROVIDING CHLORIDE TREATMENT FOR A PHOTOVOLTAIC DEVICE AND A CHLORIDE TREATED PHOTOVOLTAIC DEVICE

机译:提供一种用于光伏装置的氯化物处理方法以及一种经过氯化物处理的光伏装置

摘要

A method of manufacturing a photovoltaic device including depositing a cadmium telluride layer onto a substrate; treating the cadmium telluride layer with a compound comprising chlorine and an element from Groups 1-11, zinc, mercury, or copernicium or a combination thereof; and annealing the cadmium telluride layer. A chloride-treated photovoltaic device.
机译:一种制造光电器件的方法,包括在衬底上沉积碲化镉层;以及在衬底上沉积碲化镉层。用包含氯和1-11族元素​​,锌,汞或co的化合物或它们的组合处理碲化镉层;并退火碲化镉层。氯化物处理过的光伏设备。

著录项

  • 公开/公告号US2015380572A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FIRST SOLAR INC.;

    申请/专利号US201514845334

  • 申请日2015-09-04

  • 分类号H01L31/0296;H01L31/056;H01L31/0224;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:32:50

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号