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机译:基体热处理设备,基体热处理方法,存储介质和热处理状态检测设备
公开/公告号SG10201507918SA
专利类型
公开/公告日2016-04-28
原文格式PDF
申请/专利权人 TOKYO ELECTRON LIMITED;
申请/专利号SG10201507918S
发明设计人 SHINICHIRO MISAKA;KOUDAI HIGASHI;
申请日2015-09-23
分类号
国家 SG
入库时间 2022-08-21 14:22:50
机译: 基板热处理装置,基板热处理方法,存储介质和热处理状态检测装置
机译: 基体热处理设备,基体热处理方法,存储介质和热处理状态检测设备
机译: 基板热处理装置,基板热处理装置的温度控制方法,半导体装置的制造方法,基板热处理装置的温度控制程序以及记录介质