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METHOD AND APPARATUS TO DEPOSIT PURE TITANIUM THIN FILM AT LOW TEMPERATURE USING TITANIUM TETRAIODIDE PRECURSOR

机译:用四碘化钛前驱体在低温下沉积纯钛薄膜的方法和装置

摘要

Methods of depositing highly conformal and pure titanium films at low temperatures are provided. Methods involve exposing a substrate to titanium tetraiodide, purging the chamber, exposing the substrate to a plasma, purging the chamber, and repeating these operations. Titanium films are deposited at low temperatures less than about 450 DEG C.
机译:提供了在低温下沉积高度保形和纯钛膜的方法。方法包括将基材暴露于四碘化钛,吹扫腔室,将基材暴露于等离子体,吹扫腔室并重复这些操作。钛膜是在低于约450℃的低温下沉积的。

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