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CENTER READ REFERENCE VOLTAGE DETERMINATION BASED ON ESTIMATED PROBABILITY DENSITY FUNCTION

机译:基于估计概率密度函数的中心读取参考电压确定

摘要

Embodiments include a system, method and apparatus for estimating respective first and second CDF 2 (cumulative density function) for the values ​​of the plurality of NVM (non-volatile memory) of the memory cells in the page. CDF may at least in part on one or more of the decoder output code word for the data stored in the page. Based at least in part on the CDF, has a first and a PDF 2 (probability density function) for the values ​​of the page in memory can be estimated. Then it can be determined by the central read reference voltages for reading the cells in a page. Central read reference voltage may be based at least in part on the first and the 2 to the PDF. ;
机译:实施例包括用于针对页面中的存储单元的多个NVM(非易失性存储器)的值来估计相应的第一和第二CDF 2(累积密度函数)的系统,方法和装置。 CDF可以至少部分地在用于页面中存储的数据的一个或多个解码器输出代码字上。至少部分基于CDF,可以估算出内存中页面的值的第一个和PDF 2(概率密度函数)。然后,可以通过中央读取参考电压来确定页面中的单元的读取电压。中央读取参考电压可以至少部分地基于PDF的第一个和第二个。 ;

著录项

  • 公开/公告号KR101669379B1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 인텔 코포레이션;

    申请/专利号KR20157007791

  • 发明设计人 모트와니 라비 에이치.;

    申请日2013-06-20

  • 分类号G11C16/26;G11C11/56;G11C16/12;G11C16/30;G11C5/14;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 14:11:46

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