首页> 外国专利> THERMAL GRADIENT ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (TGE-CVD)

THERMAL GRADIENT ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (TGE-CVD)

机译:热梯度增强化学气相沉积(TGE-CVD)

摘要

A chemical vapor deposition (CVD) apparatus is configured for thermal gradient enhanced CVD operation by the inclusion of multiple heaters, positioned so as to provide a desired thermal gradient profile across a vertical dimension of a substrate or other work piece within the chamber. So configured, the chamber may also be used for controlled growth of thin films via diffusion through intermediate films, either top down or bottom parallel to the direction of the thermal gradient.
机译:化学气相沉积(CVD)设备被配置用于通过包括多个加热器来进行热梯度增强的CVD操作,所述多个加热器被定位成在腔室内的基板或其他工件的垂直尺寸上提供期望的热梯度分布。如此配置,该腔室还可用于通过穿过中间膜的扩散来控制薄膜的生长,该中间膜的上下或平行于热梯度的方向。

著录项

  • 公开/公告号EP2643495B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AIXTRON SE;

    申请/专利号EP20110794063

  • 发明设计人 TEO KENNETH B. K.;RUPESINGHE NALIN L.;

    申请日2011-11-22

  • 分类号C23C16/455;C23C16/452;C23C16/458;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:05:57

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号