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Silicon-containing surface modifier, resist underlayer film composition containing this, and patterning process

机译:含硅的表面改性剂,含有该表面改性剂的抗蚀剂下层膜组合物以及图案形成工序

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlayer film applicable not only to a negatively developed resist pattern formed by a hydrophilic organic compound but also to a conventional positively developed resist pattern formed by a hydrophobic compound.;SOLUTION: A silicon-containing surface modifier contains one or more of a repeating unit shown by the specified general formula (A) and a partial structure shown by the specified general formula (C).;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种抗蚀剂下层膜,该抗蚀剂下层膜不仅适用于由亲水性有机化合物形成的负性显影的抗蚀剂图案,而且适用于由疏水性化合物形成的常规的正性显影的抗蚀剂图案。含有一个或多个由指定通式(A)表示的重复单元和由指定通式(C)表示的部分结构。;版权:(C)2013,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号EP2628744B1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHINETSU CHEMICAL CO;

    申请/专利号EP20130000599

  • 申请日2013-02-06

  • 分类号C07F7/18;C09D183/06;C08L83/06;G03F7/075;C08G77/14;G03F7/09;H01L21/302;G03F7/11;G03F7/36;G03F7/40;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:04:50

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