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THREE-DIMENSIONAL FINFET TRANSISTOR WITH PORTION(S) OF THE FIN CHANNEL REMOVED IN GATE-LAST FLOW

机译：在最后一道闸门中去除鳍片部分的三维FINFET晶体管

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摘要

A three-dimensional transistor includes a channel with a center portion (forked channel) or side portions (narrow channel) removed, or fins without shaping, after removal of the dummy gate and before a replacement metal gate is formed.

机译：三维晶体管包括在去除伪栅极之后并且在形成替换金属栅极之前去除中心部分（叉形沟道）或侧部部分（窄沟道）的沟道，或者鳍片不整形。

著录项

公开/公告号US2017069759A1

专利类型
公开/公告日2017-03-09

原文格式PDF
申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES INC.;
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申请/专利号US201514847462
发明设计人 HUI ZANG;MIN-HWA CHI;
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申请日2015-09-08
分类号H01L29/78;H01L29/06;H01L29/66;H01L21/762;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:46:18

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