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Method of manufacturing low cost, high efficiency LED

机译:低成本,高效率的led的制造方法

摘要

A low cost, high efficiency light-emitting diode design is disclosed. In some embodiments, a p-n junction of a light-emitting diode is formed in an epitaxial layer grown on a substrate. Grinding the backside of an associated wafer after encapsulation not only opens a light path for the light emitting diode but removes most residual defects.
机译:公开了一种低成本,高效率的发光二极管设计。在一些实施例中,在衬底上生长的外延层中形成发光二极管的p-n结。封装后研磨相关晶圆的背面,不仅为发光二极管打开了一条光路,而且消除了大多数残留缺陷。

著录项

  • 公开/公告号US9601656B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-03-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SILEGO TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201514740121

  • 发明设计人 JOHN OTHNIEL MCDONALD;

    申请日2015-06-15

  • 分类号H01L33;H01L33/40;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/08;H01L33/52;H01L33/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:43:26

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