首页> 外国专利> СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4

СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4

机译:获得单晶Ag0,5Pb1,75GeS4的方法

摘要

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері. Процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах: температура зони розплаву - 1000-1040 Κ; температура зони росту - 760-780 Κ; градієнт температур на границі рідкої та твердої фаз - 15-18 Κ/мм; швидкість опускання ростового кварцового контейнера - 4-6 мм/добу; швидкість охолодження до температури відпалу - 8-10 Κ/год.; температура в зоні відпалу - 660-680 Κ; час відпалу - 200-250 год.; швидкість охолодження - 10 Κ/год.
机译:从熔体中获得Ag0,5Pb1,75GeS4的单晶的方法包括根据化学计量组成从单质Ag,Pb,Ge,S进行电荷排列,通过垂直Bridgman-Stockbarger方法合成和培养单晶,同时在相同的位置进行合成和生长生长石英容器。用以下参数进行单晶的生长过程:熔融区的温度-1000-1040Κ;生长区温度-760-780Κ;液相和固相边界处的温度梯度-15-18Κ/ mm;生长石英容器的降低速度-4-6毫米/天;冷却至退火温度的速率-8-10Κ/ h;退火区的温度-660-680Κ;退火时间-200-250小时;冷却速度-10Κ/ h。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号