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/ Neuromorphic devices with excitatory and inhibitory functionality

机译:/具有兴奋和抑制功能的神经形态装置

摘要

The present invention relates to a reconfigurable synaptic mimic element. The synapse mimic element includes first and second lower electrodes (BG1 and BG2) formed electrically isolated on a substrate, a first lower insulating film stack formed at least on a surface of the first lower electrode, First and second semiconductor regions formed on the first and second lower insulating film stacks, first and second semiconductor regions formed on the first and second lower insulating film stacks, first, second and third doped regions formed on the right and left sides of the first and second lower electrodes, And an upper insulating layer stack formed on the second semiconductor region and the first, second, and third doped regions, and an upper electrode formed on the upper insulating layer stack. The synapse mimic element according to the present invention can reconstruct a specific synapse mimic element to have a suppression or excitation function arbitrarily using first and second lower electrodes and a lower insulating layer stack including a charge storage layer formed on the surfaces of the first and second lower electrodes.
机译:可重构突触模拟元件技术领域本发明涉及可重构突触模拟元件。突触模拟元件包括在基板上电隔离的第一和第二下部电极(BG1和BG2),至少在第一下部电极的表面上形成的第一下部绝缘膜堆叠,在第一和第二半导体区域上形成的第一和第二半导体区域。第二下部绝缘膜堆叠,形成在第一下部绝缘膜堆叠和第二下部绝缘膜堆叠上的第一和第二半导体区域,形成在第一下部电极和第二下部电极的右侧和左侧上的第一,第二和第三掺杂区域以及上部绝缘层堆叠形成在第二半导体区域以及第一,第二和第三掺杂区域上的第一电极,和形成在上绝缘层堆叠上的上电极。根据本发明的突触模拟元件可以使用第一和第二下部电极以及包括形成在第一和第二表面上的电荷存储层的下部绝缘层堆叠体任意地重构特定的突触模拟元件以具有抑制或激发功能。下电极。

著录项

  • 公开/公告号KR101695737B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 서울대학교 산학협력단;

    申请/专利号KR20150157701

  • 发明设计人 우성윤;이종호;김철흥;

    申请日2015-11-10

  • 分类号G06N3/063;G06N3/06;G11C11/54;H01L27/115;H01L29/792;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:26:13

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