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METHOD OF FORMING SILICON MICROSTRUCTURES 3D METAL-STIMULATED ETCHING

机译:硅微结构3D金属刺激蚀刻的形成方法

摘要

FIELD: physics.;SUBSTANCE: invention relates to the technology to generate 3D silicon microstructures are element base of functional microelectronics, metal-stimulated etching using locally located masks Ni. The composition of the solution for etching Silicon include hydrofluoric acid, hydrogen peroxide and deionized water in a volumetric ratio of 2:1:10.;EFFECT: etching process using nickel is a cost-effective process because you can replace expensive noble metals and cheaper technology to create Silicon 3D structures.
机译:技术领域本发明涉及产生3D硅微结构的技术,该3D硅微结构是功能微电子学的元素基础,其是使用局部设置的掩模Ni进行金属刺激的蚀刻。用于蚀刻硅的溶液的成分包括体积比为2:1:10的氢氟酸,过氧化氢和去离子水;效果:使用镍进行蚀刻是一种经济高效的方法,因为您可以代替昂贵的贵金属且更便宜技术来创建硅3D结构。

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