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MULTILAYER THIN FILM HAVING PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY

机译:具有垂直磁各向异性的多层薄膜

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To keep perpendicular magnetic anisotropy even after high temperature heat treatment.SOLUTION: A manufacturing method of perpendicular magnetic anisotropy multilayer thin film includes a step of sputtering a CoFeSiB target and a Pd target alternately in a vacuum chamber, and forming a (CoFeSiB/Pd) multilayer thin film on a substrate placed in the vacuum chamber. The number n of laminations of the (CoFeSiB/Pd) multilayer thin film in a magnetic tunnel junction element is 3 or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
机译:解决的问题:即使在高温热处理后也要保持垂直磁各向异性。解决方案:垂直磁各向异性多层薄膜的制造方法包括以下步骤:在真空室中交替溅射CoFeSiB靶和Pd靶,并形成一个(CoFeSiB / Pd)多层薄膜放在放置在真空室内的基板上。磁性隧道结元件中(CoFeSiB / Pd)多层薄膜的叠层数n为3或更多。

著录项

  • 公开/公告号JP2018098482A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOREA UNIV RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION;

    申请/专利号JP20170099031

  • 发明设计人 KIM YOUNG KEUN;KIM YUN JIN;

    申请日2017-05-18

  • 分类号H01L21/8239;H01L27/105;G11B5/39;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/16;H01F10/30;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:12:37

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