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Multi-layer single chip MEMS WLCSP fabrication

机译:多层单芯片MEMS WLCSP制造

摘要

A method for fabricating a WLCSP device includes receiving a MEMS cap wafer having a first radius, a MEMS device wafer having a second radius, and a CMOS substrate wafer having a third radius, wherein the first radius is smaller than the second radius, and wherein the second radius is smaller than the third radius, disposing the MEMS cap wafer approximately concentrically upon the MEMS device wafer, disposing the MEMS device wafer approximately concentrically upon the CMOS substrate wafer, disposing a spacer structure upon the MEMS device wafer, wherein the spacer structure comprises a plurality of proximity spacers disposed upon a proximity flag, wherein the plurality of proximity spacers are disposed upon the MEMS device wafer, disposing a mask layer in contact to the plurality of proximity spacers, above and substantially parallel to the MEMS cap wafer, and forming a pattern upon the MEMS cap wafer using the mask layer.
机译:一种用于制造WLCSP器件的方法,该方法包括:接收具有第一半径的MEMS帽晶片,具有第二半径的MEMS器件晶片以及具有第三半径的CMOS衬底晶片,其中,第一半径小于第二半径,并且其中第二半径小于第三半径,将MEMS盖晶片大致同心地设置在MEMS器件晶片上,将MEMS器件晶片大致同心地设置在CMOS衬底晶片上,在MEMS器件晶片上放置垫片结构,其中,垫片结构包括设置在接近标记上的多个接近间隔物,其中,多个接近间隔物设置在MEMS器件晶片上,并在与MEMS盖晶片上方且基本平行的位置上设置与多个接近间隔物接触的掩模层,以及使用掩模层在MEMS盖晶片上形成图案。

著录项

  • 公开/公告号US10106399B1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MCUBE INC.;

    申请/专利号US201715787532

  • 发明设计人 CHIEN CHEN LEE;TZU FENG CHANG;

    申请日2017-10-18

  • 分类号B81C1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:06:08

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