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Semiconductor memory device that randomizes data and randomizer thereof

机译:使数据随机化的半导体存储装置及其随机化器

摘要

A semiconductor memory device includes a NAND memory including a plurality of blocks, each of which is a unit of data erasing, and a controller. The controller is configured to select an initial value from a group of initial values, based on an address of the NAND memory in which data are to be written, set a value corresponding to the selected initial value to a linear feedback shift register circuit, randomize the data using an output value of the linear feedback shift register circuit, and write the randomized data to the address of the NAND memory. A size of each of the blocks S is smaller than 2n−1 bytes, n being a number of registers included in the linear feedback shift register circuit.
机译:半导体存储器件包括:NAND存储器,其包括多个块,每个块是数据擦除的单元;以及控制器。控制器被配置为基于要写入数据的NAND存储器的地址从一组初始值中选择初始值,将与所选择的初始值相对应的值设置到线性反馈移位寄存器电路,随机化使用线性反馈移位寄存器电路的输出值存储数据,并将随机化数据写入NAND存储器的地址。每个块S的大小小于2S n-1字节,n是线性反馈移位寄存器电路中包括的寄存器的数量。

著录项

  • 公开/公告号US9921772B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOSHIBA MEMORY CORPORATION;

    申请/专利号US201615253757

  • 发明设计人 TSUYOSHI ATSUMI;YASUHIKO KUROSAWA;

    申请日2016-08-31

  • 分类号G11C7/10;G06F3/06;G06F7/58;G11C16/10;G11C16/34;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:57:48

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