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Non-Volatile Memory Technology Symposium
Non-Volatile Memory Technology Symposium
召开年:
2017
召开地:
Aachen(DE)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
A multiscale modeling approach for the simulation of OxRRAM devices
机译:
用于OxRRAM器件仿真的多尺度建模方法
作者:
Andrea Padovani
;
Luca Larcher
;
Jiyong Woo
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Hafnium compounds;
Ions;
Power dissipation;
Switches;
Electric potential;
Material properties;
Performance evaluation;
2.
High-speed voltage-control spintronics memory focused on reduction in write current
机译:
专注于降低写电流的高速电压控制自旋电子存储器
作者:
H. Sugiyama
;
H. Yoda
;
K. Koi
;
S. Oikawa
;
B. Altansargai
;
T. Inokuchi
;
S. Shirotori
;
M. Shimizu
;
Y. Kato
;
Y. Ohsawa
;
M. Ishikawa
;
A. Tiwari
;
N. Shimomura
;
Y. Saito
;
A. Kurobe
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Magnetic tunneling;
Writing;
Resistance;
Shape;
Transistors;
Random access memory;
Magnetization;
3.
Endurance prediction and error Reduction in NAND flash using machine learning
机译:
使用机器学习的NAND闪存耐久性预测和减少错误
作者:
Barry Fitzgerald
;
Damien Hogan
;
Conor Ryan
;
Joe Sullivan
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Measurement;
Bit error rate;
Error correction codes;
Predictive models;
Flash memories;
Parity check codes;
Programming;
4.
Measuring and analyzing Random Telegraph Noise in Nanoscale Devices: The case of resistive random access memories
机译:
测量和分析纳米级设备中的随机电报噪声:电阻式随机存取存储器的情况
作者:
Francesco Maria Puglisi
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Fluctuations;
Current measurement;
Dielectrics;
Performance evaluation;
Time measurement;
Hidden Markov models;
Data analysis;
5.
Potential application of time dependent threshold switching in neuromorphic computing
机译:
时间相关阈值切换在神经形态计算中的潜在应用
作者:
Guy Wicker
;
Boil Pashmakov
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Switches;
Neurons;
Threshold voltage;
Metals;
Capacitance;
Current density;
6.
Interfacial property tuning of heavy metal/CoFeB for large density STT-MRAM
机译:
用于大密度STT-MRAM的重金属/ CoFeB的界面性质调整
作者:
Wenlong Cai
;
Kaihua Cao
;
Mengxing Wang
;
Shouzhong Peng
;
Jiaqi Zhou
;
Anni Cao
;
Boyu Zhang
;
Lezhi Wang
;
Yu Zhang
;
Jiaqi Wei
;
Xiaobin He
;
Hushan Cui
;
Chao Zhao
;
Weisheng Zhao
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Magnetic tunneling;
Tunneling magnetoresistance;
Damping;
Thermal stability;
Perpendicular magnetic anisotropy;
Magnetomechanical effects;
7.
High speed and high-area efficiency non-volatile look-up table design based on magnetic tunnel junction
机译:
基于磁隧道结的高速,高效率高效非易失性查询表设计
作者:
Rana Alhalabi
;
Gregory Di Pendina
;
Ioan-lucian Prejbeanu
;
Etienne Nowak
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Table lookup;
Transistors;
Magnetic tunneling;
Delays;
Multiplexing;
Field programmable gate arrays;
Resistance;
8.
Anti-ferroelectric-like ZrO
2
non-volatile memory: Inducing non-volatility within state-of-the-art DRAM
机译:
类似于反铁电的ZrO
2 inf>非易失性存储器:导致最新DRAM中的非易失性
作者:
Milan Pešić
;
Michael Hoffmann
;
Claudia Richter
;
Stefan Slesazeck
;
Uwe Schroeder
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Nonvolatile memory;
Electrodes;
Ferroelectric films;
Hafnium compounds;
Capacitors;
Computer architecture;
9.
Thermal effects on the I-V characteristics of filamentary VCM based ReRAM-cells using a nanometer-sized heater
机译:
使用纳米级加热器对基于VCM的丝状VRAM单元的I-V特性的热效应
作者:
M. von Witzleben
;
E. Wichmann
;
C. Funck
;
K. Fleck
;
R. Waser
;
U. Böttger
;
T. Breuer
;
S. Menzel
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Heating systems;
Resistance;
Electrodes;
Temperature measurement;
Voltage measurement;
Temperature;
Switches;
10.
Kinetic Monte Carlo modeling of the charge transport in a HfO
2
-based ReRAM with a rough anode
机译:
带有粗糙阳极的基于HfO
2 inf>的ReRAM中电荷传输的动力学Monte Carlo建模
作者:
Wilhelm Stehling
;
Elhameh Abbaspour
;
Christoph Jungemann
;
Stephan Menzel
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
Anodes;
Switches;
Semiconductor process modeling;
Electric fields;
Leakage currents;
11.
Enhancement of CBRAM performance by controlled formation of a hourglass-shaped filament
机译:
通过控制形成沙漏形灯丝来增强CBRAM性能
作者:
Attilio Belmonte
;
Ludovic Goux
;
Jiyong Woo
;
Umberto Celano
;
Augusto Redolfi
;
Sergiu Clima
;
Gouri Sankar Kar
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Switches;
Electrodes;
Ions;
Performance evaluation;
Aluminum oxide;
Shape;
12.
An efficient synaptic architecture for artificial neural networks
机译:
人工神经网络的有效突触架构
作者:
Irem Boybat
;
Manuel Le Gallo
;
S. R. Nandakumar
;
Timoleon Moraitis
;
Tomas Tuma
;
Bipin Rajendran
;
Yusuf Leblebici
;
Abu Sebastian
;
Evangelos Eleftheriou
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Clocks;
Phase change materials;
Neurons;
Programming;
Training;
Standards;
13.
Innovative GeS
2
/Sb
2
Te
3
based phase change memory for low power applications
机译:
基于GeS
2 inf> / Sb
2 inf> Te
3 inf>的创新型相变存储器,适用于低功耗应用
作者:
Julia Kluge
;
Anthonin Verdy
;
Gabriele Navarro
;
Serge Blonkowski
;
Véronique Sousa
;
Sophie Chevalliez
;
Philippe Kowalczyk
;
Mathieu Bernard
;
Nicolas Bernier
;
Guillaume Bourgeois
;
Niccolò Castellani
;
Pierre Noé
;
Luca Perniola
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Phase change materials;
Conductivity;
Programming;
Thermal resistance;
Crystallization;
Thermal stability;
14.
Array programming scheme to enable improved transient based non-linearity in impact ionization based Si-NIPIN selectors for low power
机译:
阵列编程方案可在基于碰撞电离的Si-NIPIN选择器中实现改善的基于瞬态的非线性,从而实现低功耗
作者:
S. Shrivastava
;
U. Ganguly
会议名称:
《Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2017年
关键词:
Programming;
Transient analysis;
Computer architecture;
Steady-state;
Microprocessors;
Impact ionization;
Silicon;
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