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Dual-port DDR4-DIMMs of SDRAM and NVRAM for SSD-blades and multi-CPU servers

机译:SDRAM和NVRAM的双端口DDR4-DIMM,用于SSD刀片和多CPU服务器

摘要

A memory system is disclosed that includes a first FPGA controller coupled to a first SSD cluster, a first DDR4 DIMM and a second DDR4 DIMM. A second FPGA controller is coupled to a second SSD cluster, the first DDR4 DIMM and the second DDR4 DIMM, where the first and second FPGAs are operable to share access to the first and second DDR4 DIMMs and provide connectivity to a plurality of network resources. The dual-port design enables the use of existing SDRAM, MRAM and RRAM chips at low speed rates to reach DDR4 2.0 speed DIMM devices. The dual-port DDR4 DIMM comprises 1-to-2 data buffer splitters and a DDR3 or DDR2 to DDR4 bus adaptation/termination/relaying circuits to increase (e.g., double or quadruple) the chip speed of SDRAM, MRAM, and RRAM chips.
机译:公开了一种存储器系统,其包括耦合到第一SSD集群的第一FPGA控制器,第一DDR4 DIMM和第二DDR4 DIMM。第二FPGA控制器耦合到第二SSD集群,第一DDR4 DIMM和第二DDR4 DIMM,其中第一和第二FPGA可操作以共享对第一和第二DDR4 DIMM的访问并提供到多个网络资源的连接性。双端口设计允许以低速使用现有的SDRAM,MRAM和RRAM芯片,以达到DDR4 2.0速度DIMM设备。双端口DDR4 DIMM包括1-to-2数据缓冲区分配器和DDR3或DDR2至DDR4总线适配/端接/中继电路,以提高(例如,两倍或四倍)SDRAM,MRAM和RRAM芯片的速度。

著录项

  • 公开/公告号US9852779B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-12-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUTUREWEI TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US201514656488

  • 发明设计人 XIAOBING LEE;

    申请日2015-03-12

  • 分类号G06F13/36;G11C7/10;G11C5/04;G11C11;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:56:22

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