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Memristive RF switches

机译:忆阻射频开关

摘要

A memristive radio frequency (RF) switch circuit comprises a first metal electrode and a second metal electrode arranged on an insulating substrate and separated by an air gap, wherein the air gap is fifty nanometers (50 nm) or less, and wherein applying and removing an enabling voltage to the memristive RF switch enables the memristive RF switch to pass RF signals between the first electrode and the second electrode even when the enabling voltage is removed from the memristive switch, and wherein applying and removing a disabling voltage to the memristive switch disables the memristive switch.
机译:忆阻射频(RF)开关电路包括第一金属电极和第二金属电极,该第一金属电极和第二金属电极布置在绝缘基板上并由气隙隔开,其中该气隙为五十纳米(50 nm)或更小,并且其中施加和去除向忆阻RF开关的使能电压使忆阻RF开关即使在从忆阻开关去除了使能电压时也使RF信号在第一电极和第二电极之间通过,并且其中向忆阻开关施加和去除禁用电压会禁用忆阻开关。

著录项

  • 公开/公告号US9998106B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNIVERSITY OF MASSACHUSETTS;

    申请/专利号US201514689198

  • 发明设计人 SHUANG PI;JOSEPH BARDIN;QIANGFEI XIA;

    申请日2015-04-17

  • 分类号H01L47/00;H03K17/04;H01L45/00;H01L27/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:55:19

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