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Hybrid LPDDR4-DRAM with cached NVM and flash-nand in multi-chip packages for mobile devices

机译:混合LPDDR4-DRAM,具有用于移动设备的多芯片封装的缓存NVM和闪存nand

摘要

An apparatus comprises a hybrid-memory multi-chip package (MCP) including a non-volatile memory (NVM) in an NVM die; a dynamic random access memory (DRAM) in two or more DRAM die, wherein a portion of the DRAM is allocated as a cache memory for the NVM; and a hybrid controller for the NVM and DRAM. The hybrid controller includes an NVM interface to the NVM; a DRAM interface to the cache memory; a host interface to communicate data with a host processor, wherein the host interface includes a parallel data bus for reading and writing data directly with both of the DRAM and the NVM; and logic circuitry configured to interleave access by the host processor and hybrid controller to the DRAM and NVM.
机译:一种设备,包括混合存储器多芯片封装(MCP),该混合存储器多芯片封装在NVM裸片中包括非易失性存储器(NVM)。在两个或多个DRAM裸片中的动态随机存取存储器(DRAM),其中该DRAM的一部分被分配为用于NVM的高速缓冲存储器;以及用于NVM和DRAM的混合控制器。混合控制器包括到NVM的NVM接口;与高速缓冲存储器的DRAM接口;主机接口,用于与主机处理器进行数据通信,其中,主机接口包括并行数据总线,用于直接与DRAM和NVM进行数据读写。逻辑电路,配置成交织主处理器和混合控制器对DRAM和NVM的访问。

著录项

  • 公开/公告号US9940980B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-04-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUTUREWEI TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US201615199802

  • 申请日2016-06-30

  • 分类号G11C7/10;G06F3/06;G06F11/14;G11C5/04;G06F12/02;G11C8/18;G06F13/16;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:54:42

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