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SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, MAGNETO RESISTIVE SENSOR, AND MAGNETIC MEMORY

机译:自旋电流磁化反转元件,制造方法,磁阻传感器和磁存储器

摘要

This spin current magnetization reversal element comprises a first ferromagnetic metal layer having a variable direction of magnetization; and a spin-orbit torque wire that bonds to the first ferromagnetic metal layer and extends in a direction intersecting a facing direction of the first ferromagnetic metal layer. The spin-orbit torque wire is made of a non-magnetic body composed of two or more types of elements, and a composition ratio of the non-magnetic body has a non-uniform distribution between a first surface of the wire bonded to the first ferromagnetic metal layer and a second surface thereof positioned on a side opposite thereto.
机译:该自旋电流磁化反转元件包括具有可变磁化方向的第一铁磁金属层。自旋轨道扭矩线,其结合到第一铁磁金属层并在与第一铁磁金属层的相对方向相交的方向上延伸。自旋轨道扭矩线由由两种或更多种类型的元素组成的非磁性体制成,并且该非磁性体的组成比在键合至第一磁性体的线的第一表面之间具有不均匀的分布。铁磁金属层及其第二表面位于与之相反的一侧。

著录项

  • 公开/公告号WO2018101028A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-06-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK CORPORATION;

    申请/专利号WO2017JP40910

  • 申请日2017-11-14

  • 分类号H01L29/82;G11B5/39;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/12;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 12:43:56

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