退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:包括具有改善的近衬底热导率的多晶CVD金刚石的半导体器件结构
公开/公告号GB201719861D0
专利类型
公开/公告日2018-01-10
原文格式PDF
申请/专利权人 RFHIC CORPORATION;
申请/专利号GB20170019861
发明设计人
申请日2014-08-29
分类号H01L21/02;
国家 GB
入库时间 2022-08-21 12:32:41
机译: 半导体器件结构包括多晶CVD金刚石,具有改善的近衬底导热率
机译: 包括具有改善的近衬底热导率的多晶CVD金刚石的半导体器件结构