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Via etch method for back contact multijunction solar cells

机译:用于背接触多结太阳能电池的通孔蚀刻方法

摘要

This disclosure relates to semiconductor devices and methods for fabricating semiconductor devices. Particularly, the disclosure relates to back-contact-only multijunction solar cells and the process flows for making such solar cells, including a wet etch process that removes semiconductor materials non-selectively without major differences in etch rates between heteroepitaxial III-V semiconductor layers.
机译:本公开涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。特别地,本公开涉及仅背接触的多结太阳能电池及其制造方法,包括湿法蚀刻工艺,该湿法蚀刻工艺非选择性地去除半导体材料,而异质外延III-V半导体层之间的蚀刻速率没有重大差异。

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