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Precision measurement of voltage drop across a semiconductor switching element

机译:精确测量半导体开关元件上的压降

摘要

The present invention discloses a kind of pressure drops for accurate measurement across thyristor. The device includes(a)First circuit paths include the first protection element,First impedor and voltage source(Control),Wherein the first circuit paths are suitable for the thyristor being connected between first terminal and Second terminal,(Two)The first lead-out terminal formed between second circuit path( 211 )With second output terminal( 212 ),The second circuit channel,Including second the second impedor of protection element,Wherein the second protection element and the first protection element,Wherein the second impedor and the first impedor,(Three)Adjusting circuit and adjusting currently makes the electric current be equal to the first circuit path in the electric current in second circuit path in second circuit path,Wherein isometric systolic contraction dramatically shortens speed(Voltage drop)First terminal and Second terminal between thyristor voltage between difference be equal to voltage source provided by(Control)With voltage drop(Velocity modulation)In the first output end( 211 )With second output terminal( 212 ). Moreover, there are the seabed installations, monitoring system and method.
机译:本发明公开了一种用于跨晶闸管的精确测量的压降。该设备包括(a)第一电路路径包括第一保护元件,第一阻抗和电压源(Control),其中第一电路路径适用于晶闸管连接在第一端子和第二端子之间,(两个)第一引线在第二电路路径(211)与第二输出端子(212)之间形成的输出端子,第二电路通道,包括第二保护元件的第二阻抗器,其中第二保护元件和第一保护元件,其中第二阻抗元件和第一保护元件阻抗,(三)调节电路和调节电流使得第二电路路径中第二电路路径中的电流等于第一电路路径,其中等轴收缩期收缩显着缩短速度(电压降)第一端子和第二端子晶闸管之间的电压差等于(控制)提供的电压源的电压降(速度调制)末端(211)具有第二输出端子(212)。此外,还有海底设施,监测系统和方法。

著录项

  • 公开/公告号EP2933646B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号EP20140165224

  • 发明设计人 DAS ANANDARUP;LYSFJORD IVAR HAAKON;

    申请日2014-04-17

  • 分类号G01R31/26;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 12:30:35

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