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Power semiconductor device drive control circuit

机译:功率半导体器件驱动控制电路

摘要

A voltage driver shifts a voltage on a gate as a control terminal of a power semiconductor element in response to an ON command or an OFF command. A gate voltage detector generates a detection signal of a gate-emitter voltage. A delay signal generator generates a delay signal obtained by adding a delay time to the detection signal. A subtractor generates a voltage difference signal between the detection signal and the delay signal. When the voltage difference signal exceeds a reference voltage during an operation of turning on the power semiconductor element, a short-circuit state detector detects a hard-switching fault.
机译:电压驱动器响应于ON命令或OFF命令而移位作为功率半导体元件的控制端子的栅极上的电压。栅极电压检测器产生栅极-发射极电压的检测信号。延迟信号发生器生成通过将延迟时间加到检测信号而获得的延迟信号。减法器在检测信号和延迟信号之间产生电压差信号。当在接通功率半导体元件的操作期间电压差信号超过参考电压时,短路状态检测器检测到硬开关故障。

著录项

  • 公开/公告号JP6482665B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱電機株式会社;

    申请/专利号JP20170524784

  • 发明设计人 堀口 剛司;中山 靖;

    申请日2016-05-30

  • 分类号H03K17/08;H03K17/56;H02M1/08;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:21:09

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