含フッ素硬化性組成物及びその硬化物

摘要

【課題】高周波での誘電率及び誘電正接が低い含フッ素硬化物を与えることができ、加熱硬化にて層間絶縁膜を形成できる含フッ素硬化性組成物、及びその硬化物を提供する。【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、かつ主鎖中にパーフルオロポリエーテル構造を有する直鎖状ポリフルオロ化合物、（Ｂ）１分子中に、１価のパーフルオロアルキル基若しくは１価のパーフルオロオキシアルキル基を有するか、又は２価のパーフルオロアルキレン基若しくは２価のパーフルオロオキシアルキレン基を有し、さらにＳｉＨ基を２個以上有する含フッ素オルガノ水素シロキサン、（Ｃ）白金族金属系触媒、（Ｄ）ポリテトラフルオロエチレン粉末を含有する組成物であり、この硬化物の１０ＧＨｚにおける誘電率が３．０以下であり、かつ誘電正接が０．００３以下である含フッ素硬化性組成物。【選択図】なし