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Semiconductor memory device with a control logic capable of controlling the ready busy output control unit to adjust an output current to be outputted to a ready/busy pad, and a method for operating the same

机译:具有能够控制就绪忙输出控制单元以调节要输出到就绪/忙焊盘的输出电流的控制逻辑的半导体存储装置及其操作方法

摘要

A semiconductor memory device includes a memory cell array, a status signal generator, an RB output control unit and a control logic. The memory cell array includes a plurality of memory cells. The status signal generator outputs an internal status signal indicating whether the memory cell array is performing an internal operation. The RB output control unit outputs a ready/busy signal based on the internal status signal. The control logic controls the RB output control unit to adjust an output current of the RB output control unit.
机译:半导体存储器件包括存储单元阵列,状态信号发生器,RB输出控制单元和控制逻辑。存储单元阵列包括多个存储单元。状态信号发生器输出指示存储单元阵列是否正在执行内部操作的内部状态信号。 RB输出控制单元根据内部状态信号输出就绪/忙碌信号。控制逻辑控制RB输出控制单元以调节RB输出控制单元的输出电流。

著录项

  • 公开/公告号US10354702B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号US201715632591

  • 发明设计人 JIN YONG SEONG;

    申请日2017-06-26

  • 分类号G11C7/10;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/34;G11C16/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:16:24

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