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Power semiconductor packages having a substrate with two or more metal layers and one or more polymer-based insulating layers for separating the metal layers

机译:功率半导体封装,其衬底具有两个或多个金属层和一个或多个用于分离金属层的基于聚合物的绝缘层

摘要

Power semiconductor packages described herein each include a substrate having two or more metal layers and one or more insulating layers for separating the metal layers. The substrate insulating layers are formed from a polymer material to reduce the CTE mismatch between the substrate metal layers and the substrate insulating layers.
机译:本文所述的功率半导体封装均包括具有两个或多个金属层和用于分离金属层的一个或多个绝缘层的基板。基板绝缘层由聚合物材料形成,以减少基板金属层和基板绝缘层之间的CTE失配。

著录项

  • 公开/公告号US10410952B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号US201715833310

  • 发明设计人 REINHOLD BAYERER;

    申请日2017-12-06

  • 分类号H01L23;H01L23/373;H01L23/538;H01L23/498;H01L23/50;H01L21/768;H01L23/367;H01L23/34;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:11:52

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